GHTS系列-高壓方波發(fā)生器TruStability? 高精度高精度硅陶瓷 (HSC) 系列屬于壓阻式硅壓力傳感器，能夠進(jìn)行比率式模擬輸出或數(shù)字輸出，從而在指定的滿 量程壓力和溫度范圍內(nèi)讀現(xiàn)在聯(lián)系

SiC高壓開關(guān)是由碳化硅MOSFET組成。相較于傳統(tǒng)的硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高壓開關(guān)，可以極大的降低導(dǎo)通時(shí)阻抗，大幅降低開關(guān)的固有電容，實(shí)現(xiàn)更高的切換頻率和更好的散熱能力。相較傳統(tǒng)現(xiàn)在聯(lián)系

FSWP系列-快速方波發(fā)生器內(nèi)部已集成高壓脈沖開關(guān)和配套電路，搭配高壓直流電源后可直接輸出高壓脈沖方波。 最大工作電壓：5KV~9KV 峰值電流：15A~25A 典型上升沿/下降沿時(shí)間：&現(xiàn)在聯(lián)系

FQD系列-Q開關(guān)驅(qū)動(dòng)器FQD Q開關(guān)驅(qū)動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)泡克爾斯盒，應(yīng)用于激光的領(lǐng)域。FQD驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)可直接與泡克爾斯盒連接來(lái)使用的產(chǎn)品，已集成一個(gè)BEHLKE的高壓脈沖開關(guān)和配套的電路現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog C8-方波型推挽式高壓開關(guān)由兩個(gè)HTS高壓開關(guān)采用半橋形式組合而成，可以產(chǎn)生非常完美的高壓方波輸出。現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog C6-IGBT型由數(shù)百個(gè)IGBT管組合而成，主要應(yīng)用于大電流（峰值電流KA級(jí)別）快速高頻切換的科研和工業(yè)脈沖電源的應(yīng)用。C6開關(guān)連接簡(jiǎn)單，恢復(fù)時(shí)間快，抖動(dòng)小，壽命長(zhǎng)。現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog C4-低電阻型采用TrenchFET MOSFET技術(shù)，使C4開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的電阻極低，能量損耗小。C4開關(guān)的切換速度比典型的功率FET開關(guān)略低，但比IGBT開關(guān)的速度要高的多；現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog C3-低耦合電容型由于高壓和低壓控制部分的之間的耦合電容極低，低耦合電容型開關(guān)特別適合高頻切換，有高的EMC要求的應(yīng)用。在高dv/dt的條件下，也能保持很好的消噪抗擾的能力，降低現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog C2-低感抗型低感抗，支持高di/dt，上升沿時(shí)間5ns~15ns，下降沿時(shí)間20ns~50ns，適用于切換頻率不高或中速的高壓脈沖電源應(yīng)用。現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog C1-普通型設(shè)計(jì)用于常見的高壓脈沖開關(guān)應(yīng)用，比如泡克爾斯盒、壓電晶體、MCP/SEV脈沖發(fā)生器、偏離和加速電場(chǎng)等?？刂坪?jiǎn)單，穩(wěn)定可靠，抖動(dòng)時(shí)間短，開關(guān)準(zhǔn)。開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間由低壓現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog B4-低電阻型聯(lián)系電話：86-21-3892-0246現(xiàn)在聯(lián)系

Catalog B3-超快型BEHLKE開關(guān)中速度快的高壓開關(guān)，上升沿時(shí)間快小于1ns。低感抗的特性使它能被適用于高di/dt的場(chǎng)景。插針式封裝，可焊接于PCB上。現(xiàn)在聯(lián)系